114年六月號 道 法 法 訊 (398)

DEEP & FAR

 

 

 
應如何解釋與慣用技術對應的請求要件？
Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation v. Dow 
Corning Toray Co., Ltd.，案件編號2014 (Ne) 10082 
(2015年11月5日作出的判決)

 

黃郁靜 專利工程師

•陽明大學物理治療系

•陽明大學生物藥學所

 

 
 

然而，在詳細審查了系爭專利的說明書以及先前文獻後，IPHC得出了兩點結論。首先，系爭專利的所請發明，除了「在碳原子位置引入特定量的氮」的技術特徵外，其餘均對應於4H型單晶碳化矽的慣用生長方法。其次，雖然已確認在系爭專利說明書中以碳化矽固體 (粉末)為起始材料的實施例為一般實施例、且僅說明了使用碳化矽的實施例為實際範例，在系爭專利申請時已知使用矽及碳為起始材料、使其反應生成碳化矽晶體、然後將生成的碳化矽昇華以在晶種上形成單晶碳化矽。基於上述認定，IPHC將所請用語解釋為不僅包括系爭專利說明書中已闡明的使用碳化矽固體 (粉末)為起始材料的實施方式，還包括使用矽及碳為起始材料、使其反應生成碳化矽晶體、再使生成的碳化矽昇華以在晶種上形成單晶碳化矽的實施方式。據此，IPHC決定，被訴侵權的DCT的方法落入系爭專利範圍，因為被訴侵權的DCT的方法使用矽及碳為起始材料，且經實驗證實在被訴侵權的DCT的方法中生成了碳化矽。

 

最終，IPHC推翻了東京地方法院的判決，並判定DCT侵害了系爭專利。

 

對此判決的上訴被提出至最高法院，因此，此判決並非最終且有拘束力。

 

我們的評論

從上述決定可以看出，即使專利說明書(包括實際範例)的揭露內容不是那麼詳細，對應於慣用技術的所請元件也可能被廣義地解釋。