114年五月號 道 法 法 訊 (397)

DEEP & FAR

 

 

應如何解釋與慣用技術對應的請求要件?
Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation v. Dow Corning  Toray Co., Ltd.,案件編號2014 (Ne) 10082 (2015年11月5 日作出的判決)

 

黃郁靜 專利工程師

•陽明大學物理治療系

•陽明大學生物藥學所

 

 

專利權人Nippon Steel & Sumitomo Metal (NSSM)於2004年獲得與一種用於生產4H型單晶碳化矽的方法有關的專利,並於2011年基於該專利對Dow Corning Toray (DCT)向東京地方法院提出侵權訴訟。2014年,東京地方法院基於該專利未被侵權的理由撤銷了NSSM的請求。針對東京地方法院的判決,NSSM於2014年向IPHC提出上訴。

 

NSSM的系爭專利的請求項1請求如下:

一種用於生產4H型單晶碳化矽的一鐵錠的方法,包括當使用一晶種藉由一昇華-再結晶方法生長單晶碳化矽時,在碳原子的位置引入5 x 1018 cm-3或更多且5 x 1019 cm-3或更少的氮。

 

本案的一個主要問題在於應如何在侵權訴訟中解釋與慣用技術對應的請求要件。IPHC對此問題答覆如下:

 

在一審判決中,東京地方法院將所請用語「昇華-再結晶方法」解釋為:將由與產物相同物質組成的多晶固體材料昇華,然後將該材料再次結晶,得到單晶產物;且由於被告DCT的方法不屬於所請的「昇華-再結晶方法」,認定DCT不侵害系爭專利。